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Nuevo IRFP460PBF original FETs individuales Mosfet IC Chip Servicio de suministro de componentes electrónicos de circuito integrado al por mayor

Detalles del producto

Place of Origin: China

Nombre de la marca: Original

Número de modelo: Se aplicará el método IRFP460PBF.

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Chip de circuito integrado de circuito integrado al por mayor

,

FETs individuales Mosfet Chip de circuito integrado

,

El nuevo IRFP460PBF original

Mounting Type:
surface mount
Description:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Package / Case:
5DFN
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series:
mosfet
D/C:
23+
Aplicación:
Objetivo general
FET Type:
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss):
75V
Current - Continuous Drain (Id)@ 25°C:
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250ua
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3700pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Vgs (Max):
±20V
Mounting Type:
surface mount
Description:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Package / Case:
5DFN
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series:
mosfet
D/C:
23+
Aplicación:
Objetivo general
FET Type:
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss):
75V
Current - Continuous Drain (Id)@ 25°C:
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250ua
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3700pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Vgs (Max):
±20V
Nuevo IRFP460PBF original FETs individuales Mosfet IC Chip Servicio de suministro de componentes electrónicos de circuito integrado al por mayor

Atributos clave

 

Tipo de montaje
montaje de la superficie
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC y otros
Lugar de origen
Guangdong, China
Envase / estuche
5DFN
El tipo
circuito integrado
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
MOSFET
D/C
Más de 23 años
Aplicación
Objetivo general
Referencias cruzadas
Se aplicará el método IRFP460PBF.
Marca del producto
Se aplicará el método IRFP460PBF.
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Tipo de FET
N-canal
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
Se aplicará el método de ensayo.
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Vgs(th) (máximo) @ Id
4V @ 250ua
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
3700 pF @ 25V
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
10 V
Vgs (máximo)
± 20 V
Aplicaciones
Objetivo general
Tipo de transistor
MOSFET
Nombre del producto
El mosfet IRFP460PBF
Pago
PaypalTTWestern UnionAseguramiento del comercio
Condición
Nuevo y original.
Servicio
Servicio de Bom de una sola parada
Tiempo de entrega
Entre 1 y 3 días hábiles
Calidad
100% original 100% de marca
Envío por
DHLUPSFedexEMSTNTAramex es el nombre que se le da a este proyecto.
Garantización
1 año
Tiempo de entrega
3-5 días hábiles
Cuota de producción
10 piezas